RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2297
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link