RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2576
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link