RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
41
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2965
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link