RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3211
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link