RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
3140
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link