RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
4152
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link