RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
52
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1223
2236
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link