RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2124
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link