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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
2506
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
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