RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
41
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2591
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link