RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
3356
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link