RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
65
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
1921
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link