RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2505
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link