RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3082
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link