RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2370
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link