RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
42
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
1881
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link