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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
65
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2938
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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