RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2563
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link