RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2316
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link