RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
16.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3800
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link