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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
3593
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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