RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
59
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
3832
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link