RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
59
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2472
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link