RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
59
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2036
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link