RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
62
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2361
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link