RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2379
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link