RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
68
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
3221
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link