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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
68
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
60
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
3,886.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
1,702.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
654
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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