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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
44
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3448
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Frequency (Mhz) *
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