RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
44
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2940
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link