SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Gesamtnote
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8,883.4 left arrow 15.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 44
    Rund um -42% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.5 left arrow 14
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 5300
    Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14,740.4 left arrow 20.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8,883.4 left arrow 15.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2811 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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