RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
70
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3119
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link