RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
70
73
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
3,071.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1724
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link