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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1453
2831
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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