RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
63
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2755
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link