RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
63
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
18.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4173
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link