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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
63
Rund um -232% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
17.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3499
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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