RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
99
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
6.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1386
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link