RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
68
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2007
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link