RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
63
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
13.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2701
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link