RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2846
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link