RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
63
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2245
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link