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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1990
1740
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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