RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3116
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link