RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
52
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
7.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2176
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link