RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
39
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3774
3000
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link