RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
87
Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3525
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link