RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
59
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2727
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link