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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
53
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2947
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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