RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
53
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3135
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link